SI8620BD-B-ISR ชิปวงจรรวมแบบร้อน ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ ขั้วเดียว 5 KV 2-Channel

รายละเอียดสินค้า

ฟีเจอร์หลัก

• การทำงานด้วยความเร็วสูง

• DC ถึง 150 Mbps

• ไม่จำเป็นต้องมีการเริ่มต้นเริ่มต้น

• การจ่ายแรงดันไฟที่ใช้งานกว้าง

• 2.5–5.5 V

• การแยก VRMS สูงสุด 5,000 ครั้ง

• เสริม VDE 0884-10, รองรับไฟกระชาก 10 kV (Si862xxT)

• อายุการใช้งาน 60 ปีที่แรงดันไฟฟ้าใช้งานที่กำหนด

• ภูมิคุ้มกันแม่เหล็กไฟฟ้าสูง

• พลังงานต่ำมาก (ทั่วไป)

การทำงาน 5 V

• 1.6 mA ต่อช่องสัญญาณที่ 1 Mbps

• 5.5 mA ต่อช่องสัญญาณที่ 100 Mbps

การทำงาน 2.5 V

• 1.5 mA ต่อช่องสัญญาณที่ 1 Mbps

• 3.5 mA ต่อช่องสัญญาณที่ 100 Mbps

• อินพุตทริกเกอร์ Schmitt

• โหมดป้องกันความผิดพลาดที่เลือกได้

• เอาต์พุตสูงหรือต่ำเริ่มต้น (ตัวเลือกการสั่งซื้อ)

• เวลาที่แม่นยำ (ทั่วไป)

• การขยายพันธุ์ล่าช้า 10 ns

• ความผิดเพี้ยนของความกว้างพัลส์ 1.5 ns

• 0.5 ns ช่องช่องเอียง

• ความล่าช้าในการแพร่กระจาย 2 ns เอียง

• ความกว้างพัลส์ขั้นต่ำ 5 ns

• ภูมิคุ้มกันชั่วคราว 50 kV/µs

• คุณสมบัติ AEC-Q100

• ช่วงอุณหภูมิกว้าง

• -40 ถึง 125 °C

• แพ็คเกจที่ได้มาตรฐาน RoHS

• WB SOIC-16

• SOIC-8

• DFN-8 แพ็คเกจขนาดกะทัดรัด

• มี OPN เกรดยานยนต์ให้ใช้งาน

• รองรับเอกสาร PPAP ตามมาตรฐาน AIAG

• รองรับรายการ IMDS และ CAMDS