MT40A512M16HA-083E หน่วยความจำแฟลช IC Dram 8 Gbit 512Mx16

รายละเอียดสินค้า

MT40A512M16HA-083E:A Memory ICs DRAM SDRAM - DDR4 SMD/SMT Tray

• VDD = VDDQ = 1.2V ±60mV

• VPP = 2.5V, –125mV, +250mV

• On-die, ภายใน, VREFDQ generation ที่ปรับได้

• 1.2V หลอกเปิด I/O

• เวลารีเฟรช 8192 รอบที่ช่วงอุณหภูมิ TC: – 64ms ที่ -40°C ถึง 85°C – 32ms ที่ >85°C ถึง 95°C – 16ms ที่ >95°C ถึง 105°C

• 16 ธนาคารภายใน (x4, x8): 4 กลุ่ม กลุ่มละ 4 ธนาคาร

• 8 ธนาคารภายใน (x16): 2 กลุ่ม กลุ่มละ 4 ธนาคาร

• สถาปัตยกรรมการดึงข้อมูลล่วงหน้า 8n-bit

• คำนำแฟลชข้อมูลที่ตั้งโปรแกรมได้

• การฝึกอบรมคำนำของ Data Strobe

• เวลาแฝงของคำสั่ง/ที่อยู่ (CAL)

• ความสามารถในการอ่านและเขียนทะเบียนอเนกประสงค์

• เขียนระดับ • โหมดรีเฟรชตัวเอง

• การรีเฟรชตัวเองอัตโนมัติแบบใช้พลังงานต่ำ (LPASR)

• การรีเฟรชแบบควบคุมอุณหภูมิ (TCR)

• การรีเฟรชแบบละเอียด

• ยกเลิกรีเฟรชตัวเอง

• ประหยัดพลังงานสูงสุด

• การสอบเทียบไดรเวอร์เอาต์พุต

• การสิ้นสุดที่กำหนด จอด และแบบไดนามิก (ODT)

• การผกผันบัสข้อมูล (DBI) สำหรับบัสข้อมูล

• ความเท่าเทียมกันของคำสั่ง/ที่อยู่ (CA)

• Databus เขียนการตรวจสอบความซ้ำซ้อนแบบวนซ้ำ (CRC)

• ความสามารถในการระบุที่อยู่ต่อ DRAM

• การทดสอบการเชื่อมต่อ

• สอดคล้องกับ JEDEC JESD-79-4

• ความสามารถ sPPR และ hPPR