SLVU2.8-4BTG TVS ไดโอด SMD ป้องกัน ESD 2.8V 1uA 4CH 30kV

รายละเอียดสินค้า

SLVU2.8-4BTG ESD Suppressors / TVS ไดโอด 2.8V 1uA 4CH 30kV ESD Contact

คุณสมบัติ

• ESD, IEC 61000-4-2, หน้าสัมผัส ±30kV, อากาศ ±30kV

• EFT, IEC 61000-4-4, 40A (5/50ns)

• ฟ้าผ่า, IEC 61000-4-5 ฉบับที่ 2, 40A (8/20μs)

• ความจุต่ำ 2pF ต่อบรรทัด

• กระแสไฟรั่วต่ำ 1μA (MAX) ที่ 2.8V

• การกำหนดค่าพิน SOIC-8 (JEDEC MO-012) ช่วยให้มีรูปแบบการไหลผ่านอย่างง่าย

• เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS และปราศจากสารตะกั่ว

• ระดับความไวต่อความชื้น (MSL-1)

คำอธิบาย

คุณสมบัติ แอปพลิเคชั่น SLVU2.8-4 ได้รับการออกแบบมาเพื่อปกป้องอุปกรณ์ CMOS แรงดันต่ำจาก ESD และทรานเซียนที่เกิดจากฟ้าผ่ามีไดโอดชดเชยเป็นอนุกรมกับ TVS แรงดันต่ำแต่ละเครื่องเพื่อให้มีความจุในการโหลดต่ำสำหรับสายที่ได้รับการป้องกันโครงสร้างที่ทนทานเหล่านี้สามารถดูดซับ ESD ซ้ำๆ ได้อย่างปลอดภัยที่ ±30kV (การคายประจุจากการสัมผัส) ตามมาตรฐาน IEC 61000-4-2 และโครงสร้างแต่ละโครงสร้างสามารถกระจายได้อย่างปลอดภัยสูงสุดถึง 40A (IEC 61000-4-5 2nd edition, tP=8/20μs) ด้วย แรงดันหนีบต่ำมาก