MCP1727-3302E/MF ชิป IC อิเล็กทรอนิกส์ LDO ตัวควบคุมแรงดันไฟฟ้า 1.5A CMOS LDO 3.3V DFN8

รายละเอียดสินค้า

MCP1727-3302E/MF ใหม่อิเล็กทรอนิกส์ชิป ic LDO ตัวควบคุมแรงดันไฟฟ้า 1.5A CMOS LDO 3.3V DFN8

คุณสมบัติ

• ความสามารถกระแสไฟขาออก 1.5A

• ช่วงแรงดันไฟฟ้าที่ใช้งานได้: 2.3V ถึง 6.0V

• ช่วงแรงดันเอาต์พุตที่ปรับได้: 0.8V ถึง 5.0V

• แรงดันไฟขาออกคงที่มาตรฐาน: - 0.8V, 1.2V, 1.8V, 2.5V, 3.0V, 3.3V, 5.0V

• ตัวเลือกแรงดันไฟขาออกคงที่อื่น ๆ ตามคำขอ

• แรงดันไฟตกคร่อมต่ำ: 330 mV โดยทั่วไปที่ 1.5A

• ความคลาดเคลื่อนแรงดันไฟขาออกทั่วไป: 0.5%

• เสถียรด้วยตัวเก็บประจุเอาท์พุตเซรามิก 1.0 µF

• ตอบสนองอย่างรวดเร็วต่อการโหลดชั่วคราว

• การจ่ายกระแสไฟต่ำ: 120 µA (ทั่วไป)

• การจ่ายกระแสไฟขณะปิดเครื่องต่ำ: 0.1 µA (ปกติ)

• ความล่าช้าที่ปรับได้ของกำลังขับที่ดี

• การจำกัดกระแสไฟลัดวงจรและการป้องกันอุณหภูมิเกิน

• ตัวเลือกแพ็คเกจ DFN-8 และ SOIC-8 ขนาด 3 มม. x 3 มม.

• ผ่านการทดสอบความน่าเชื่อถือ AEC-Q100 ของยานยนต์

แอปพลิเคชั่น

• พลังชิปเซ็ตไดรเวอร์ความเร็วสูง

• การ์ดเครือข่ายแบ็คเพลน

• คอมพิวเตอร์โน้ตบุ๊ก

• การ์ดอินเทอร์เฟซเครือข่าย

• คอมพิวเตอร์ปาล์มท็อป

• ตัวควบคุม 2.5V ถึง 1.XV

คำอธิบาย

MCP1727 เป็นตัวควบคุมเชิงเส้นตรง 1.5A Low Dropout (LDO) ที่ให้กระแสไฟสูงและแรงดันเอาต์พุตต่ำในแพ็คเกจขนาดเล็กมากMCP1727 มาในเวอร์ชันแรงดันเอาต์พุตคงที่ (หรือปรับได้) โดยมีช่วงแรงดันเอาต์พุต 0.8V ถึง 5.0Vความสามารถกระแสไฟขาออก 1.5A รวมกับความสามารถแรงดันไฟขาออกต่ำ ทำให้ MCP1727 เป็นตัวเลือกที่ดีสำหรับแอปพลิเคชัน LDO แรงดันเอาต์พุตย่อย 1.8V ใหม่ที่มีความต้องการกระแสไฟสูง

MCP1727 มีความเสถียรโดยใช้ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกที่ให้สัญญาณรบกวนเอาต์พุตที่ต่ำกว่า และลดขนาดและต้นทุนของโซลูชันตัวควบคุมทั้งหมดต้องการความจุเอาต์พุตเพียง 1 µF เพื่อทำให้ LDO . เสถียร

เมื่อใช้โครงสร้าง CMOS กระแสไฟนิ่งที่ใช้โดย MCP1727 โดยทั่วไปจะน้อยกว่า 120 µA ตลอดช่วงแรงดันไฟฟ้าอินพุตทั้งหมด ทำให้น่าสนใจสำหรับการใช้งานคอมพิวเตอร์แบบพกพาที่ต้องการกระแสไฟขาออกสูงเมื่อปิดเครื่อง กระแสไฟนิ่งจะลดลงเหลือน้อยกว่า 0.1 µA

แรงดันไฟขาออกที่ลดขนาดลงจะได้รับการตรวจสอบภายใน และเอาต์พุตกำลังไฟฟ้าที่ดี (PWRGD) จะมีให้เมื่อเอาต์พุตอยู่ภายใน 92% ของการควบคุม (ทั่วไป)สามารถใช้ตัวเก็บประจุภายนอกกับพิน CDELAY เพื่อปรับการหน่วงเวลาจาก 200 µs เป็น 300 ms

อุณหภูมิเกินและการจำกัดกระแสลัดวงจรให้การป้องกันเพิ่มเติมสำหรับ LDO ระหว่างสภาวะความผิดปกติของระบบ